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【HJ013N10TL】N-MOSFET TOLL 100V,330A,1.1mΩ
采用先進的SGT技術(shù)
極低導(dǎo)通電阻RDS（on）
優(yōu)秀柵極電荷x RDS（on）產(chǎn)品（FOM）
極低導(dǎo)通電阻RDS（on）
優(yōu)秀柵極電荷x RDS（on）產(chǎn)品（FOM）
【HJ020N04G】40V N-Channel SGT Power MOSFET
先進的SGT技術(shù)以低柵極充電提供出色的RDS（ON）
該裝置適用于負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用
該裝置適用于負載開關(guān)和電池保護應(yīng)用
【HJ015N03G】30V N-Channel SGT Power MOSFET
先進的SGT技術(shù)以低柵極電荷提供優(yōu)異的RDS（ON）。
本裝置適用于負載開關(guān)和蓄電池保護應(yīng)用程序。
本裝置適用于負載開關(guān)和蓄電池保護應(yīng)用程序。
FMB30H150SL 富滿微/FM MOS
30V,150A 場效應(yīng)管
RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=2.4mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.2mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
FMB30H120SL 富滿微/FM MOS
30V,123A 場效應(yīng)管
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=2.7mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.0mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
FMB30H100SL 富滿微/FM MOS
30V,109A 場效應(yīng)管
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
RDS（ON）=3.1mΩ（典型值）@ VGS =10V
RDS（ON）=4.5mΩ（典型值）@ VGS =4.5V
先進的溝槽技術(shù)
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